在建立的“氧化鋯氧傳感器制備技術(shù)數(shù)據(jù)庫”基礎上，借助INNOGRAPHY 專業(yè)分析工具和專利文獻解析對國內(nèi)外專利的申請趨勢、全球競爭格局、技術(shù)熱點主要創(chuàng)新主體的重點技術(shù)分支專利數(shù)據(jù)進行分析，得出以下6個結(jié)論。

(1)當前氧化鋯氧傳感器制備技術(shù)的全球?qū)＠暾堏厔轂楦咚僭鲩L期，專利布局主要在分布德國、美國、日本、中國等國家。

(2)全球該技術(shù)的主要創(chuàng)新主體為德國羅伯特博世公司、日本特殊陶業(yè)株式會社、日本電裝公司、日本礙子株式會社。

(3)全球現(xiàn)階段的重點技術(shù)分支為關(guān)鍵材料電極及其被覆物的成分或構(gòu)成,如催化劑、層狀結(jié)構(gòu)的感應元件保護電極或電解質(zhì)的方法。①催化劑方面的重要技術(shù)點:貴金屬-氧離子傳導性固體電解質(zhì)-金屬氧化物復合電極、導電氧化物電極。2保護電極或電解質(zhì)的方法的重要技術(shù)點:多層保護涂層，需加大力度探索各種材料的兼容性。

(4)未來，全球的重點技術(shù)分支為其特別適用的電路裝置、用于加熱或控制固體電解質(zhì)溫度的方法、校準或校驗分析儀等。

(5)本領域的先進技術(shù)平板式寬域型氧化鋯氧傳感器、應用層狀結(jié)構(gòu)的感應元件目前在國內(nèi)研究仍較少，我國在此領域的研究還有很大發(fā)展空間。

(6)國內(nèi)開展電極材料和保護涂層材料研發(fā)時需要預警技術(shù)，包括貴金屬或其合金-第1陶瓷-第2陶瓷復合電極、貴金屬-多孔陶瓷載體 -Ti氧化物復合電極、Pt-Au 合金-氧化鋯復合電極、含多層催化層的保護層、不同空隙率的多層保護層。

李重1，劉英’，向藍翔:

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